图像仅供参考,请参阅规格书
驱动配置低压侧
通道类型独立式
驱动器数2
栅极类型N 沟道,P 沟道 MOSFET
电压 - 电源4.5 V ~ 15 V
逻辑电压 - VIL,VIH1V,2V
电流 - 峰值输出(灌入,拉出)4A,4A
输入类型反相
上升/下降时间(典型值)20ns,15ns
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装8-SOIC
无铅情况/RoHs无铅/符合RoHs