制造商:ROHM Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TSST-8

通道数量:2 Channel

晶体管极性:N-Channel, P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:20 V

Id-连续漏极电流:2.5 A, 2.4 A

Rds On-漏源导通电阻:140 mOhms, 360 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:300 mV

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:3.6 nC, 6.7 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:1.25 W

配置:Dual

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:Reel

高度:0.8 mm

长度:3 mm

产品:MOSFET

类型:Power MOSFET

宽度:1.6 mm

商标:ROHM Semiconductor

正向跨导 - 最小值:2.7 S, 2.4 S

下降时间:17 ns, 45 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:17 ns, 25 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:28 ns, 55 ns

典型接通延迟时间:9 ns, 9 ns

零件号别名:TT8M3