制造商:ROHM Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TSST-8

通道数量:2 Channel

晶体管极性:N-Channel, P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:20 V

Id-连续漏极电流:2.5 A

Rds On-漏源导通电阻:52 mOhms, 49 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:300 mV, 1 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:3.6 nC, 12 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:1.25 W

配置:Dual

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

晶体管类型:1 N-Channel, 1 P-Channel

商标:ROHM Semiconductor

下降时间:17 ns, 85 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:17 ns, 30 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:28 ns, 120 ns

典型接通延迟时间:9 ns, 9 ns

零件号别名:TT8M1