TSD5N65M
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):3A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:5V @ 250uA 漏源导通电阻:3Ω @ 1.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):58W(Tc) 类型:N沟道
TSD5N65M的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)3A(Tc)
栅源极阈值电压5V @ 250uA
漏源导通电阻3Ω @ 1.5A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)58W(Tc)
类型N沟道
TSD5N65M
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| TSD5N65M | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):3A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:5V @ 250uA 漏源导通电阻:3Ω @ 1.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):58W(Tc) 类型:N沟道 | Truesemi(信安) |  | 1.18 Mbytes | 共10页 |  | 无 |
TSD5N65M的全球分销商及价格
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 立创商城 | TSD5N65M | Truesemi(信安) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):3A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:5V @ 250uA 漏源导通电阻:3Ω @ 1.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):58W(Tc) 类型:N沟道 | 1+:¥1.0637 10+:¥0.7998 30+:¥0.7513 100+:¥0.7028 500+:¥0.6813 1000+:¥0.6706
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