TSD5N50MR
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.5A 漏源电压(Vdss):500V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:160mΩ @ 2.25A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):48W 类型:N沟道
TSD5N50MR的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)500V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)4.5A
栅源极阈值电压4V @ 250uA
漏源导通电阻160mΩ @ 2.25A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)48W
类型N沟道
TSD5N50MR
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TSD5N50MR | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.5A 漏源电压(Vdss):500V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:160mΩ @ 2.25A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):48W 类型:N沟道 | Truesemi(信安) |  | 800.45 Kbytes | 共8页 |  | 无 |
TSD5N50MR的全球分销商及价格
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 立创商城 | TSD5N50MR | Truesemi(信安) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.5A 漏源电压(Vdss):500V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:160mΩ @ 2.25A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):48W 类型:N沟道 | 1+:¥0.8996 10+:¥0.6497 30+:¥0.6038 100+:¥0.5579 500+:¥0.5375 1000+:¥0.5274
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