数据列表:TPW4R008NH
标准包装:5,000
类别:分立半导体产品
家庭:FET - 单
系列:-
包装:带卷(TR)
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压(Vdss):80V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):116A(Tc)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):4 毫欧 @ 50A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):59nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss):5300pF @ 40V
功率 - 最大值:800mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-PowerWDFN
供应商器件封装:8-DSOP Advance
其它名称:TPW4R008NH,L1Q(MTPW4R008NHL1QTR