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TPV8100B /射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
TPV8100B的规格信息
TPV8100B的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Advanced Semiconductor, Inc.

产品种类:射频(RF)双极晶体管

RoHS:是

晶体管类型:Bipolar Power

技术:Si

晶体管极性:NPN

直流集电极/Base Gain hfe Min:30

集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V

发射极 - 基极电压 VEBO:4 V

集电极连续电流:12 A

最小工作温度:- 65 C

最大工作温度:+ 200 C

安装风格:Screw Mount

封装 / 箱体:398-03

封装:Tray

工作频率:860 MHz

类型:RF Bipolar Power

商标:Advanced Semiconductor, Inc.

Pd-功率耗散:215 W

产品类型:RF Bipolar Transistors

子类别:Transistors

供应商TPV8100B
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深圳市天卓伟业电子有限公司TPV8100B深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
17302670049		陈敏Email:3004201508@qq.com询价
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Mouser 贸泽电子		TPV8100BAdvanced Semiconductor, Inc.射频(RF)双极晶体管 RF Transistor1:¥1,551.2414
10:¥1,423.461
25:¥1,277.465
50:¥1,131.469
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