制造商:Toshiba

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PS8-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:P-Channel, NPN

Vds-漏源极击穿电压:32 V

Id-连续漏极电流:5.5 A

Rds On-漏源导通电阻:27 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:34 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:1.06 W

配置:Single

封装:Reel

高度:0.8 mm

长度:2.9 mm

系列:TPCP8J01

晶体管类型:1 P-Channel, NPN

类型:Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type

宽度:2.4 mm

商标:Toshiba

下降时间:90 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:12 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:22 ns

典型接通延迟时间:2.8 ns