标准包装：3,000

类别：分立半导体产品

家庭：FET - 阵列

系列：-

包装：带卷（TR）

FET 类型：N 和 P 沟道

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压（Vdss）：30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：4.2A，3.4A

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：50 毫欧 @ 2.1A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：10nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：470pF @ 10V

功率 - 最大值：360mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SMD，扁平引线

供应商器件封装：PS-8