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TPCF8302(TE85L,F,M /Toshiba Semiconductor and Storage/分立半导体产品
TPCF8302(TE85L,F,M的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:4,000

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 阵列

系列:-

包装:带卷(TR)

FET 类型:2 个 P 沟道(双)

FET 功能:逻辑电平门

漏源极电压(Vdss):20V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):3A

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):59 毫欧 @ 1.5A,4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 200µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):11nC @ 5V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):800pF @ 10V

功率 - 最大值:330mW

安装类型:表面贴装

封装/外壳:8-SMD,扁平引线

供应商器件封装:VS-8(2.9x1.9)

其它名称:TPCF8302(TE85L,F)TPCF8302(TE85L,F)-NDTPCF8302(TE85LFMTRTPCF8302FTRTPCF8302FTR-ND

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