制造商:Toshiba

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:VS8-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:6 A

Rds On-漏源导通电阻:28 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:2.5 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Reel

高度:0.8 mm

长度:2.9 mm

系列:TPCF8104

晶体管类型:1 P-Channel

宽度:1.5 mm

商标:Toshiba

下降时间:22 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:2.8 ns

工厂包装数量:4000

子类别:MOSFETs