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TPC8012-H(TE12L,Q) /Toshiba Semiconductor and Storage/分立半导体产品
TPC8012-H(TE12L,Q)的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:3,000

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 单

系列:-

包装:带卷(TR)

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 功能:标准

漏源极电压(Vdss):200V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):1.8A(Ta)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):400 毫欧 @ 900mA,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):11nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):440pF @ 10V

功率 - 最大值:-

安装类型:表面贴装

封装/外壳:8-SOIC(0.173",4.40mm 宽)

供应商器件封装:8-SOP(5.5x6.0)

其它名称:TPC8012-H(TE12L)TPC8012-H(TE12L,Q)-NDTPC8012-HQTRTPC8012-HTRTPC8012-HTR-ND

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