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TN0201K-T1-E3 /Vishay Siliconix/分立半导体产品
TN0201K-T1-E3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:3,000

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 单

系列:TrenchFET®

包装:带卷(TR)

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 功能:逻辑电平门

漏源极电压(Vdss):20V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):420mA(Ta)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1 欧姆 @ 300mA,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):1.5nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):-

功率 - 最大值:350mW

安装类型:表面贴装

封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商器件封装:SOT-23-3(TO-236)

其它名称:TN0201K-T1-E3TRTN0201KT1E3

供应商TN0201K-T1-E3
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TN0201K-T1-E3N-Channel 20-V (D-S) MOSFET VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO76.87 Kbytes共5页TN0201K-T1-E3的PDF下载地址SI6862DQ,SI5486DUV,SI1058X,SIE808DF,SIE810DF,SI9410DY,SI5945DU,SI4914DY,SIE812DF,SI7601DN
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