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TMD8N65H /连续漏极电流（Id）（25°C 时）：8A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：1.1Ω @ 4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：107W(Tc) 类型：N沟道

TMD8N65H的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压（Vdss）650V

连续漏极电流（Id）（25°C 时）8A(Tc)

栅源极阈值电压4V @ 250uA

漏源导通电阻1.1Ω @ 4A,10V

最大功率耗散（Ta=25°C）107W(Tc)

类型N沟道

TMD8N65H

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深圳市芯幂科技有限公司	TMD8N65H	深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦2405	13267088774 13267088774 (微信同号)	Alien	询价
深圳市仓实科技有限公司	TMD8N65H	深圳市福田区福田街道	17080955875	李先生	询价
集好芯城	TMD8N65H	深圳市福田区航都大厦25F	0755-82564006 13310061703	傅小姐	询价
深圳市宇浩扬科技有限公司	TMD8N65H	深圳市福田区华强北上步工业区201栋316	0755-83223003 13826514222	余先生，张先生	询价
深圳市腾浩伟业电子有限公司	TMD8N65H	深圳市福田区上步工业区201栋316室	18218171380(微信同号）	李	询价
北京一祥聚辉科贸有限公司	TMD8N65H	北京海淀区宝盛里19号楼兴缘写字楼210室	010-82916312-605 13381306183	陈经理	询价

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TMD8N65H	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：8A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：1.1Ω @ 4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：107W(Tc) 类型：N沟道	无锡紫光微		538.72 Kbytes	共10页		无

TMD8N65H的全球分销商及价格

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立创商城	TMD8N65H	无锡紫光微	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：8A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：1.1Ω @ 4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：107W(Tc) 类型：N沟道	1+:￥1.4577 10+:￥1.08285 30+:￥1.014 100+:￥0.94515 500+:￥0.91455 1000+:￥0.899475

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