TMD7N65H
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):7A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:1.35Ω @ 3.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):97W(Tc) 类型:N沟道
TMD7N65H的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)7A(Tc)
栅源极阈值电压4V @ 250uA
漏源导通电阻1.35Ω @ 3.5A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)97W(Tc)
类型N沟道
TMD7N65H
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| TMD7N65H | 650V N-Channel MOSFET | WUMC[Wuxi Unigroup Microelectronics Company] | ![WUMC[Wuxi Unigroup Microelectronics Company]的LOGO](/PdfSupLogo/1077WUMC.GIF) | 1717.26 Kbytes | 共10页 |  | 无 |
TMD7N65H的全球分销商及价格
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 立创商城 | TMD7N65H | 无锡紫光微 | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):7A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:1.35Ω @ 3.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):97W(Tc) 类型:N沟道 | 1+:¥1.6893 10+:¥1.2645 30+:¥1.1864 100+:¥1.1084 500+:¥1.0737 1000+:¥1.0566
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