FET 类型：N 和 P 沟道，共漏

FET 功能：标准

漏源电压（Vdss）：60V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：6.6A，4.7A

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：36 毫欧 @ 6A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：3V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：19.2nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：1560pF @ 25V

功率 - 最大值：3.13W

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-252-5，DPak（4 引线 + 接片），TO-252AD

供应商器件封装：TO-252-4L

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs