FET 类型2 个 N 通道和 2 个 P 通道（H 桥）

FET 功能标准

漏源电压（Vdss）30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）5.5A，4.1A

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）33 毫欧 @ 5A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）3V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）10nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）960pF @ 25V

功率 - 最大值1.38W

工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型表面贴装

封装/外壳8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装8-SO

无铅情况/RoHs无铅/符合RoHs