TMA8N60H
/连续漏极电流（Id）（25°C 时）：8A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：1Ω @ 4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：64W(Tc) 类型：N沟道
TMA8N60H的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）600V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）8A(Tc)
栅源极阈值电压4V @ 250uA
漏源导通电阻1Ω @ 4A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）64W(Tc)
类型N沟道
TMA8N60H
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| TMA8N60H | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：8A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：1Ω @ 4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：64W(Tc) 类型：N沟道 | 无锡紫光微 |  | 470.20 Kbytes | 共9页 |  | 无 |
TMA8N60H的全球分销商及价格
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立创商城 | TMA8N60H | 无锡紫光微 | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：8A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：1Ω @ 4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：64W(Tc) 类型：N沟道 | 1+:￥2.37
10+:￥1.77
30+:￥1.66
100+:￥1.55
500+:￥1.5
1000+:￥1.48
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