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TMA7N65H /连续漏极电流(Id)(25°C 时):7A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:1.35Ω @ 3.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):63W(Tc) 类型:N沟道
TMA7N65H的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)650V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)7A(Tc)

栅源极阈值电压4V @ 250uA

漏源导通电阻1.35Ω @ 3.5A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)63W(Tc)

类型N沟道

供应商TMA7N65H
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万三科技(深圳)有限公司TMA7N65H深圳市龙华区民治街道新牛社区布龙路1010号智慧谷创新园6090755-21006672
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TMA7N65H无锡紫光微连续漏极电流(Id)(25°C 时):7A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:1.35Ω @ 3.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):63W(Tc) 类型:N沟道1+:¥1.91
10+:¥1.39
30+:¥1.29
100+:¥1.2
500+:¥1.15
1000+:¥1.13