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TK750A60F,S4X /MOSFET N-Ch TT-MOSIX 600V 40W 1130pF 10A
TK750A60F,S4X的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Toshiba

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220SIS-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:600 V

Id-连续漏极电流:10 A

Rds On-漏源导通电阻:750 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2 V

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

Qg-栅极电荷:30 nC

最小工作温度:-

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:40 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Tube

系列:TK750A60F

商标:Toshiba

下降时间:20 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:22 ns

工厂包装数量:50

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:80 ns

典型接通延迟时间:45 ns

供应商TK750A60F,S4X
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