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TK72E12N1,S1X /MOSFET N-Ch 120V 179A 225W UMOSVIII 130nC .0044
TK72E12N1,S1X的规格信息
TK72E12N1,S1X的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Toshiba

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:120 V

Id-连续漏极电流:179 A

Rds On-漏源导通电阻:4.4 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:130 nC

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:255 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

高度:15.1 mm

长度:10.16 mm

系列:TK72E12N1

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:4.45 mm

商标:Toshiba

下降时间:37 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:33 ns

工厂包装数量:50

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:120 ns

典型接通延迟时间:64 ns

单位重量:6 g

供应商TK72E12N1,S1X
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北京芯时代电子科技发展有限公司TK72E12N1,S1X北京市经济技术开发区兴茂一街7号院U谷科创中心A座60213261242936
13261242936		王静Email:wangjing@chipspower.com询价
深圳市芯幂科技有限公司TK72E12N1,S1X深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
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13380394549		颜小姐Email:2881915365@qq.com询价
深圳市科思奇电子科技有限公司TK72E12N1,S1X上步工业区501栋1109-11100755-83245050
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深圳市瑞浩芯科技有限公司TK72E12N1,S1X深圳市福田区上步工业区501栋11030755-84875764
”13725596657“17503034873		曾先生Email:1153689911@qq.com询价
深圳市华芯盛世科技有限公司TK72E12N1,S1X深圳市福田区上步工业区201栋530室0755-23941632
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Digi-Key 得捷电子		TK72E12N1,S1XToshiba Semiconductor and StorageMOSFET N CH 120V 72A TO-220$2.04600
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Mouser 贸泽电子		TK72E12N1,S1XToshibaMOSFET N-Ch 120V 179A 225W UMOSVIII 130nC .00441:¥17.7523
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