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TK6A60D(STA4,Q,M) /MOSFET N-Ch FET 600V 3.0s IDSS 10 uA 1.0 Ohm
TK6A60D(STA4,Q,M)的规格信息
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图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Toshiba

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:600 V

Id-连续漏极电流:6 A

Rds On-漏源导通电阻:1.25 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:2 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:16 nC

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:40 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

高度:15 mm

长度:10 mm

系列:TK6A60D

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:4.5 mm

商标:Toshiba

下降时间:12 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:20 ns

工厂包装数量:2500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:60 ns

典型接通延迟时间:40 ns

单位重量:6 g

供应商TK6A60D(STA4,Q,M)
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10:¥10.2152
100:¥7.91
500:¥6.9382
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