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TC6321T-V/9U /MOSFET THERMAL. ENHANCED COMP. 200V N & P CH. MOSFET PAIR
TC6321T-V/9U的规格信息
TC6321T-V/9U的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Microchip

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:VDFN-8

通道数量:2 Channel

晶体管极性:N-Channel, P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:200 V

Id-连续漏极电流:2 A

Rds On-漏源导通电阻:7 Ohms, 8 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:1 V, 2.4 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:-

最小工作温度:- 40 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:-

配置:Dual

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:Reel

系列:TC6321

晶体管类型:1 N-Channel, 1 P-Channel

商标:Microchip Technology

下降时间:15 ns, 15 ns

湿度敏感性:Yes

产品类型:MOSFET

上升时间:15 ns, 15 ns

工厂包装数量:3300

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:20 ns, 20 ns

典型接通延迟时间:10 ns, 10 ns

供应商TC6321T-V/9U
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TC6321T-V/9UMOSFET THERMAL. ENHANCED COMP. 200V N & P CH. MOSFET PAIRMicrochip TechnologyMicrochip Technology的LOGO423.14 Kbytes共27页TC6321T-V/9U的PDF下载地址
TC6321T-V/9UMOSFET N/P-CH 200V 2A 8VDFNMicrochip TechnologyMicrochip Technology的LOGO418.51 Kbytes共26页TC6321T-V/9U的PDF下载地址
TC6321T-V/9U连续漏极电流(Id)(25°C 时):2A 漏源电压(Vdss):200V 栅源极阈值电压:2V @ 1mA,2.4V @ 1mA 漏源导通电阻:1.7Ω @ 1A,10V;8Ω @ 1A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):- 类型:N沟道和P沟道MICROCHIP(美国微芯)MICROCHIP(美国微芯)的LOGO418.51 Kbytes共26页TC6321T-V/9U的PDF下载地址
TC6321T-V/9U的全球分销商及价格
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TC6321T-V/9UMicrochip TechnologyMOSFET N/P-CH 200V 2A 8VDFNActive
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Mouser 贸泽电子
TC6321T-V/9UMicrochip TechnologyMOSFET THERMAL. ENHANCED COMP. 200V N & P CH. MOSFET PAIR1:¥11.30
10:¥11.1418
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100:¥8.5315
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TC6321T-V/9UMICROCHIP(美国微芯)连续漏极电流(Id)(25°C 时):2A 漏源电压(Vdss):200V 栅源极阈值电压:2V @ 1mA,2.4V @ 1mA 漏源导通电阻:1.7Ω @ 1A,10V;8Ω @ 1A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):- 类型:N沟道和P沟道1+:¥8.24
10+:¥8.02
30+:¥7.87
100+:¥7.72