数据列表：TC6320

PCN 组件/产地：Qualification Supertex Devices 22/Jul/2014 Additional Fabrication Site 03/Sep/2014 Assembly Site Addition 17/Feb/2015 Fab Site Addition 14/Aug/2014 Assembly Site Addition 08/Apr/2015 Assembly Site Addition 08/Apr/2015

PCN 封装：Reel Design Update 07/May/2015

标准包装：3,300

类别：分立半导体产品

家庭：FET - 阵列

系列：-

包装：带卷（TR）

FET 类型：N 和 P 沟道

FET 功能：标准

漏源极电压（Vdss）：200V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：-

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：7 欧姆 @ 1A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：-

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：110pF @ 25V

功率 - 最大值：-

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装：8-SOIC

其它名称：TC6320TG-G-NDTC6320TG-GTR