制造商:Qorvo

产品种类:射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管

发货限制：Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。

RoHS:是

晶体管类型:HEMT

技术:GaN SiC

增益:18.4 dB

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:36 V

Id-连续漏极电流:12 A

输出功率:24 W

最大漏极/栅极电压:- 2.9 V

Pd-功率耗散:117 W

安装风格:SMD/SMT

封装:Tray

工作频率:3.3 GHz

产品:GaN RF Power Transistors

系列:T1G

类型:GaN SiC HEMT

商标:Qorvo

湿度敏感性:Yes

产品类型:RF JFET Transistors

工厂包装数量:25

子类别:Transistors

零件号别名:1096176