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T1G2028536-FL /射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-2GHz P3dB 260W Gain 18dB@1.2GHz GaN
T1G2028536-FL的规格信息
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图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Qorvo

产品种类:射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管

RoHS:是

晶体管类型:HEMT

技术:GaN SiC

增益:20.8 dB

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:36 V

Vgs-栅源极击穿电压 :145 V

Id-连续漏极电流:24 A

输出功率:260 W

最大漏极/栅极电压:48 V

最大工作温度:+ 275 C

Pd-功率耗散:288 W

安装风格:SMD/SMT

封装:Tray

配置:Single

工作频率:2 GHz

产品:RF Power Transistor

系列:T1G

类型:GaN SiC HEMT

商标:Qorvo

湿度敏感性:Yes

产品类型:RF JFET Transistors

工厂包装数量:25

子类别:Transistors

零件号别名:1111394

供应商T1G2028536-FL
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