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SW7N80 /连续漏极电流(Id)(25°C 时):7A(Tc) 漏源电压(Vdss):800V 栅源极阈值电压:4.5V @ 250uA 漏源导通电阻:1.8Ω @ 3.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):38W(Tc) 类型:N沟道
SW7N80的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)800V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)7A(Tc)

栅源极阈值电压4.5V @ 250uA

漏源导通电阻1.8Ω @ 3.5A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)38W(Tc)

类型N沟道

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SW7N80Samwin (芯派)连续漏极电流(Id)(25°C 时):7A(Tc) 漏源电压(Vdss):800V 栅源极阈值电压:4.5V @ 250uA 漏源导通电阻:1.8Ω @ 3.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):38W(Tc) 类型:N沟道1+:¥3.34
10+:¥2.49
30+:¥2.34
100+:¥2.18
500+:¥2.11
1000+:¥2.08