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SW7N60 /连续漏极电流(Id)(25°C 时):7A(Tc) 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4.5V @ 250uA 漏源导通电阻:1.2Ω @ 3.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):125W(Tc) 类型:N沟道
SW7N60的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)600V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)7A(Tc)

栅源极阈值电压4.5V @ 250uA

漏源导通电阻1.2Ω @ 3.5A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)125W(Tc)

类型N沟道

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SW7N60Samwin (芯派)连续漏极电流(Id)(25°C 时):7A(Tc) 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4.5V @ 250uA 漏源导通电阻:1.2Ω @ 3.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):125W(Tc) 类型:N沟道1+:¥1.6684
10+:¥1.2236
30+:¥1.1419
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