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SW6N70 /连续漏极电流(Id)(25°C 时):6A(Tc) 漏源电压(Vdss):700V 栅源极阈值电压:4.5V @ 250uA 漏源导通电阻:1.9Ω @ 3A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):21.9W(Tc) 类型:N沟道
SW6N70的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)700V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)6A(Tc)

栅源极阈值电压4.5V @ 250uA

漏源导通电阻1.9Ω @ 3A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)21.9W(Tc)

类型N沟道

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SW6N70K连续漏极电流(Id)(25°C 时):6A(Tc) 漏源电压(Vdss):700V 栅源极阈值电压:5V @ 250uA 漏源导通电阻:1.3Ω @ 3A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):147.1W(Tc) 类型:N沟道Samwin (芯派)Samwin (芯派)的LOGO862.22 Kbytes共6页SW6N70K的PDF下载地址
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SW6N70Samwin (芯派)连续漏极电流(Id)(25°C 时):6A(Tc) 漏源电压(Vdss):700V 栅源极阈值电压:4.5V @ 250uA 漏源导通电阻:1.9Ω @ 3A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):21.9W(Tc) 类型:N沟道1+:¥1.8643
10+:¥1.3725
30+:¥1.2822
100+:¥1.1919
500+:¥1.1517
1000+:¥1.1319
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SW6N70KSamwin (芯派)连续漏极电流(Id)(25°C 时):6A(Tc) 漏源电压(Vdss):700V 栅源极阈值电压:5V @ 250uA 漏源导通电阻:1.3Ω @ 3A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):147.1W(Tc) 类型:N沟道1+:¥2.86
10+:¥2.09
30+:¥1.95
100+:¥1.8
500+:¥1.74
1000+:¥1.71