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SW630D /连续漏极电流(Id)(25°C 时):9A(Tc) 漏源电压(Vdss):200V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:400mΩ @ 4.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):96.2W(Tc) 类型:N沟道
SW630D的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)200V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)9A(Tc)

栅源极阈值电压4V @ 250uA

漏源导通电阻400mΩ @ 4.5A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)96.2W(Tc)

类型N沟道

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SW630D连续漏极电流(Id)(25°C 时):9A(Tc) 漏源电压(Vdss):200V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:400mΩ @ 4.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):96.2W(Tc) 类型:N沟道Samwin (芯派)Samwin (芯派)的LOGO764.24 Kbytes共6页SW630D的PDF下载地址
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SW630DSamwin (芯派)连续漏极电流(Id)(25°C 时):9A(Tc) 漏源电压(Vdss):200V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:400mΩ @ 4.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):96.2W(Tc) 类型:N沟道1+:¥1.4652
10+:¥1.0703
30+:¥0.9978
100+:¥0.9253
500+:¥0.8931
1000+:¥0.8771