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SW18N50 /连续漏极电流（Id）（25°C 时）：18A(Tc) 漏源电压（Vdss）：500V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：300mΩ @ 9A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：43W(Tc) 类型：N沟道

SW18N50的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压（Vdss）500V

连续漏极电流（Id）（25°C 时）18A(Tc)

栅源极阈值电压4.5V @ 250uA

漏源导通电阻300mΩ @ 9A,10V

最大功率耗散（Ta=25°C）43W(Tc)

类型N沟道

SW18N50

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SW18N50	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：18A(Tc) 漏源电压（Vdss）：500V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：300mΩ @ 9A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：43W(Tc) 类型：N沟道	Samwin (芯派)		652.13 Kbytes	共6页		无
SW18N50D	N-channel Enhanced mode TO-220F /TO-247 MOSFET	SEMIPOWER[Xian Semipower Electronic Technology Co., Ltd.]		685.67 Kbytes	共6页		无

SW18N50的全球分销商及价格

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立创商城	SW18N50	Samwin (芯派)	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：18A(Tc) 漏源电压（Vdss）：500V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：300mΩ @ 9A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：43W(Tc) 类型：N沟道	1+:￥4.8 10+:￥3.5 30+:￥3.26 100+:￥3.02 500+:￥2.92 1000+:￥2.86

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