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SW16N65K /连续漏极电流(Id)(25°C 时):16A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:5V @ 250uA 漏源导通电阻:250mΩ @ 8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):32.2W(Tc) 类型:N沟道
SW16N65K的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)650V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)16A(Tc)

栅源极阈值电压5V @ 250uA

漏源导通电阻250mΩ @ 8A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)32.2W(Tc)

类型N沟道

供应商SW16N65K
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SW16N65KSamwin (芯派)连续漏极电流(Id)(25°C 时):16A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:5V @ 250uA 漏源导通电阻:250mΩ @ 8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):32.2W(Tc) 类型:N沟道1+:¥7.82
10+:¥5.69
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