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SW15P02 /连续漏极电流（Id）（25°C 时）：15A(Tc) 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：800mV @ 250uA 漏源导通电阻：11mΩ @ 7.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：- 类型：P沟道

SW15P02的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压（Vdss）20V

连续漏极电流（Id）（25°C 时）15A(Tc)

栅源极阈值电压800mV @ 250uA

漏源导通电阻11mΩ @ 7.5A,10V

最大功率耗散（Ta=25°C）-

类型P沟道

SW15P02

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SW15P02及相关型号的PDF资料

型号	功能描述	生产厂商	厂商LOGO	PDF大小	PDF页数	下载地址	相关型号
SW15P02	P-channel Enhanced mode TO-251/TO-252/DFN33/DFN56 MOSFET	SEMIPOWER[Xian Semipower Electronic Technology Co., Ltd.]		1033.86 Kbytes	共7页		无

SW15P02的全球分销商及价格

销售商	型号	制造商	功能描述	价格
立创商城	SW15P02	Samwin (芯派)	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：15A(Tc) 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：800mV @ 250uA 漏源导通电阻：11mΩ @ 7.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：- 类型：P沟道	1+:￥0.9774 10+:￥0.7325 30+:￥0.6875 100+:￥0.6425 500+:￥0.6225 1000+:￥0.6127

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