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SW12N70 /连续漏极电流(Id)(25°C 时):12A(Tc) 漏源电压(Vdss):700V 栅源极阈值电压:4.5V @ 250uA 漏源导通电阻:870mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):37.9W(Tc) 类型:N沟道
SW12N70的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)700V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)12A(Tc)

栅源极阈值电压4.5V @ 250uA

漏源导通电阻870mΩ @ 6A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)37.9W(Tc)

类型N沟道

供应商SW12N70
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SW12N70Samwin (芯派)连续漏极电流(Id)(25°C 时):12A(Tc) 漏源电压(Vdss):700V 栅源极阈值电压:4.5V @ 250uA 漏源导通电阻:870mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):37.9W(Tc) 类型:N沟道1+:¥2.78
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