SVF1N60AH
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):1A(Tc) 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:8.1Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):22W(Tc) 类型:N沟道
SVF1N60AH的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)1A(Tc)
栅源极阈值电压4V @ 250uA
漏源导通电阻8.1Ω @ 500mA,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)22W(Tc)
类型N沟道
SVF1N60AH
SVF1N60AH及相关型号的PDF资料
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SVF1N60AH | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):1A(Tc) 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:8.1Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):22W(Tc) 类型:N沟道 | SILAN(士兰微) |  | 522.10 Kbytes | 共13页 |  | 无 |
SVF1N60AH的全球分销商及价格
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 立创商城 | SVF1N60AH | SILAN(士兰微) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):1A(Tc) 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:8.1Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):22W(Tc) 类型:N沟道 | 5+:¥0.461853 50+:¥0.346899 150+:¥0.325785 500+:¥0.304671 2500+:¥0.295287 5000+:¥0.290651
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