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SVF12N65F /连续漏极电流(Id)(25°C 时):12A 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:680mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):51W 类型:N沟道
SVF12N65F的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)650V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)12A

栅源极阈值电压4V @ 250uA

漏源导通电阻680mΩ @ 6A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)51W

类型N沟道

供应商SVF12N65F
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SVF12N65FSILAN(士兰微)连续漏极电流(Id)(25°C 时):12A 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:680mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):51W 类型:N沟道1+:¥3.36
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