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STW9NK90Z /MOSFET N-Ch 900 Volt 8 Amp Zener SuperMESH
STW9NK90Z的规格信息
STW9NK90Z的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-247-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:900 V

Id-连续漏极电流:8 A

Rds On-漏源导通电阻:1.3 Ohms

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:160 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:SuperMESH

高度:20.15 mm

长度:15.75 mm

系列:STW9NK90Z

晶体管类型:1 N-Channel

类型:MOSFET

宽度:5.15 mm

商标:STMicroelectronics

下降时间:28 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:13 ns

工厂包装数量:600

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:55 ns

典型接通延迟时间:22 ns

单位重量:38 g

供应商STW9NK90Z
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深圳市威雅利发展有限公司STW9NK90Z华强北路1019号华强广场A16楼18124047120
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韩雪Email:3004202884@qq.com询价
深圳市芯幂科技有限公司STW9NK90Z深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774
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集好芯城STW9NK90Z深圳市福田区航都大厦25F0755-82564006
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13352985419,19076157484
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深圳市辉华拓展电子有限公司STW9NK90Z深圳市福田区航都大厦25F0755-82790891
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深圳市高捷芯城科技有限公司STW9NK90Z深圳市福田区航都大厦10B13352985419
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集好芯城STW9NK90Z深圳市福田区航都大厦25F4008626627
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深圳市斌腾达科技有限公司STW9NK90Z深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
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STW9NK90Z连续漏极电流(Id)(25°C 时):8A 漏源电压(Vdss):900V 栅源极阈值电压:4.5V @ 100uA 漏源导通电阻:1.3Ω @ 3.6A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):160W 类型:N沟道ST(意法半导体)ST(意法半导体)的LOGO989.36 Kbytes共17页STW9NK90Z的PDF下载地址
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STW9NK90ZSTMicroelectronicsFET - 单 SuperMESH?? 分立半导体产品600+:¥12.690130+:¥7.09
120+:¥7
510+:¥6.010130+:¥15.14
120+:¥14.6901
270+:¥14.46
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Digi-Key 得捷电子
STW9NK90ZSTMicroelectronicsFET - 单 SuperMESH?? 分立半导体产品600+:¥12.6901
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Mouser 贸泽电子
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Mouser 贸泽电子
STW9NK90ZSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 900 Volt 8 Amp Zener SuperMESH1:¥25.8996
10:¥22.0576
100:¥19.0518
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立创商城
STW9NK90ZST(意法半导体)连续漏极电流(Id)(25°C 时):8A 漏源电压(Vdss):900V 栅源极阈值电压:4.5V @ 100uA 漏源导通电阻:1.3Ω @ 3.6A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):160W 类型:N沟道1+:¥6.99
10+:¥5.1
30+:¥4.75
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500+:¥4.25
1000+:¥4.17