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STW9N150 /MOSFET N-CH 1500V HI-VOLT PWRMESH PWR MOSFET
STW9N150的规格信息
STW9N150的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-247-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:1.5 kV

Id-连续漏极电流:8 A

Rds On-漏源导通电阻:2.5 Ohms

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:320 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:PowerMESH

封装:Tube

高度:20.15 mm

长度:15.75 mm

系列:STW9N150

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:5.15 mm

商标:STMicroelectronics

下降时间:52 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:14.7 ns

工厂包装数量:600

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:86 ns

典型接通延迟时间:41 ns

单位重量:38 g

供应商STW9N150
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18124047120
韩雪Email:3004202884@qq.com询价
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元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
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STW9N150STMicroelectronicsMOSFET N-CH 1500V 8A TO247-3$11.60000
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STW9N150STMicroelectronicsMOSFET N-CH 1500V HI-VOLT PWRMESH PWR MOSFET1:¥84.75
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Verical
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