FET 类型N 沟道

技术MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）50A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）1V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）12nC @ 4.5V

Vgs（最大值）±16V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）965pF @ 25V

功率耗散（最大值）3W（Ta），50W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）10.5 毫欧 @ 6A，10V

工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型表面贴装

供应商器件封装8-SOIC

封装/外壳8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）裸露焊盘

无铅情况/RoHs无铅/符合RoHs