制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-23-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:2 A

Rds On-漏源导通电阻:56 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:6 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:350 mW

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:STripFET

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.4 mm

长度:3.04 mm

系列:STR2P3LLH6

晶体管类型:1 P-Channel Power MOSFET

宽度:1.75 mm

商标:STMicroelectronics

下降时间:3.4 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:5 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:19.2 ns

典型接通延迟时间:5.4 ns

单位重量:8 mg