系列：STripFET™ V

FET类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：2.5V，4.5V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：700mV @ 250µA（最小）

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：4.6nC @ 4.5V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：367pF @ 16V

Vgs（最大值）：±8V

功率耗散（最大值）：350mW（Tc）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：30 毫欧 @ 2A，4.5V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

封装形式Package：SOT-23

极性Polarity：N-CH

漏源极击穿电压VDSS：20V

连续漏极电流ID：2.3A

RoHS：符合 RoHS

最高工作温度：+ 150 C

350 mW：Pd - 功率消耗

安装风格：SMD/SMT

品牌：STMicroelectronics

最低工作温度：- 55 C

标准包装数量：3000

晶体管极性：N-Channel

Vds - 漏-源击穿电压：20 V

Vgs - 闸极-源极击穿电压：8 V

Id - C连续漏极电流：2.3 A

Rds On - 漏-源电阻：30 m0hms

配置：Single

Vgs th - 门源门限电压：0.7 V

6 nC：Qg - 闸极充电

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs