制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:900 V

Id-连续漏极电流:3 A

Rds On-漏源导通电阻:1.9 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:3 V

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

Qg-栅极电荷:5.3 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:60 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:MDmesh

系列:STP4N90K5

晶体管类型:1 N-Channel

商标:STMicroelectronics

下降时间:25.5 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:11.8 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:26.4 ns

典型接通延迟时间:10.5 ns

单位重量:2 g