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STP4N150 /MOSFET PowerMESH MOSFET
STP4N150的规格信息
STP4N150的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:1.5 kV

Id-连续漏极电流:4 A

Rds On-漏源导通电阻:5 Ohms

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:160 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:PowerMESH

封装:Tube

高度:9.15 mm

长度:10.4 mm

系列:STP4N150

晶体管类型:1 N-Channel

类型:Power MOSFET

宽度:4.6 mm

商标:STMicroelectronics

正向跨导 - 最小值:3.5 S

下降时间:45 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:30 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:45 ns

典型接通延迟时间:35 ns

单位重量:330 mg

供应商STP4N150
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深圳市威雅利发展有限公司STP4N150华强北路1019号华强广场A16楼18124047120
18124047120
韩雪Email:3004202884@qq.com询价
深圳市芯幂科技有限公司STP4N150深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
现代芯城(深圳)科技有限公司STP4N150www.nowchip.com0755-27381274
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董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市华芯盛世科技有限公司STP4N150深圳市福田区上步工业区201栋530室0755-23941632
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朱先生Email:PHZHUJUNWEI@163.COM询价
深圳市坤融电子有限公司STP4N150航都大厦10I0755-23990975
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深圳市辉华拓展电子有限公司STP4N150深圳市福田区航都大厦25F0755-83289799
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深圳和润天下电子科技有限公司STP4N150深港合作区前湾一路1号A栋201室13378422395,19129491930蔡经理,张小姐Email:1139848500@qq.com询价
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STP4N150MOSFET N-CH 1500V 4A TO220ABSTMicroelectronicsSTMicroelectronics的LOGO754.26 Kbytes共15页STP4N150的PDF下载地址
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STP4N150STMicroelectronicsFET - 单 PowerMESH?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET PowerMESH MOSFET1+:¥47.06
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STP4N150STMicroelectronicsMOSFET N-CH 1500V 4A TO220AB$5.54000
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Mouser 贸泽电子
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2500+:¥22.331+:¥37.52
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Mouser 贸泽电子
STP4N150STMicroelectronicsMOSFET PowerMESH MOSFET1:¥47.0306
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立创商城
STP4N150ST(意法半导体)连续漏极电流(Id)(25°C 时):4A(Tc) 漏源电压(Vdss):1500V 栅源极阈值电压:5V @ 250uA 漏源导通电阻:7Ω @ 2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):160W(Tc) 类型:N沟道1+:¥36.83
10+:¥35.83
30+:¥35.17
100+:¥34.51