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STP35N60DM2 /MOSFET N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 28 A MDmesh DM2 Power MOSFETs in TO-220 package
STP35N60DM2的规格信息
STP35N60DM2的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:600 V

Id-连续漏极电流:28 A

Rds On-漏源导通电阻:110 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:3 V

Vgs - 栅极-源极电压:25 V

Qg-栅极电荷:54 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:210 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:MDmesh

系列:STP35N60DM2

商标:STMicroelectronics

下降时间:10.7 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:17 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:68 ns

典型接通延迟时间:21.2 ns

单位重量:330 mg

供应商STP35N60DM2
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现代芯城（深圳）科技有限公司STP35N60DM2www.nowchip.com0755-27381274
18098996457		董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市芯幂科技有限公司STP35N60DM2深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
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STP35N60DM2的全球分销商及价格
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元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		STP35N60DM2STMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 28A TO220$4.81000
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		STP35N60DM2STMicroelectronicsMOSFET N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 28 A MDmesh DM2 Power MOSFETs in TO-220 package1:¥35.5724
10:¥30.2727
100:¥26.2047
250:¥24.8939
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