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STP2NK90Z /MOSFET N-Ch 900 Volt 2.1Amp Zener SuperMESH
STP2NK90Z的规格信息
STP2NK90Z的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:900 V

Id-连续漏极电流:2.1 A

Rds On-漏源导通电阻:6.5 Ohms

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

Qg-栅极电荷:19.5 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:70 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:SuperMESH

高度:9.15 mm

长度:10.4 mm

系列:STP2NK90Z

晶体管类型:1 N-Channel

类型:MOSFET

宽度:4.6 mm

商标:STMicroelectronics

正向跨导 - 最小值:2.3 S

下降时间:40 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:11 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:43 ns

典型接通延迟时间:21 ns

单位重量:1.438 g

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深圳市芯幂科技有限公司STP2NK90Z深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774
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深圳市辉华拓展电子有限公司STP2NK90Z深圳市福田区航都大厦25F0755-83289799
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STP2NK90ZSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 900V 2.1A TO220AB$1.64000
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STP2NK90ZST(意法半导体)连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.1A(Tc) 漏源电压(Vdss):900V 栅源极阈值电压:4.5V @ 50uA 漏源导通电阻:6.5Ω @ 1.05A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):70W(Tc) 类型:N沟道1+:¥9.4
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