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STP28N60DM2 /MOSFET N-channel 600 V, 0.13 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220 package
STP28N60DM2的规格信息
STP28N60DM2的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:600 V

Id-连续漏极电流:22 A

Rds On-漏源导通电阻:130 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:3 V

Vgs - 栅极-源极电压:25 V

Qg-栅极电荷:39 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:190 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:MDmesh

系列:STP28N60DM2

晶体管类型:1 N-Channel

商标:STMicroelectronics

正向跨导 - 最小值:-

下降时间:-

产品类型:MOSFET

上升时间:-

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:-

典型接通延迟时间:-

单位重量:330 mg

供应商STP28N60DM2
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STP28N60DM2STMicroelectronicsMOSFET N-channel 600 V, 0.13 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220 package1:¥38.646
10:¥32.883
100:¥28.5099
250:¥27.0522