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STL7N60M2 /MOSFET N-channel 600 V, 0.92 Ohm typ., 5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x5 HV package
STL7N60M2的规格信息
STL7N60M2的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PowerFLAT-5x5-12

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:600 V

Id-连续漏极电流:5 A

Rds On-漏源导通电阻:1.05 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:2 V

Vgs - 栅极-源极电压:25 V

Qg-栅极电荷:8.8 nC

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:67 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:MDmesh

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:STL7N60M2

晶体管类型:1 N-Channel

商标:STMicroelectronics

下降时间:15.9 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:7.2 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:19.3 ns

典型接通延迟时间:7.6 ns

单位重量:78 mg

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现代芯城(深圳)科技有限公司STL7N60M2www.nowchip.com0755-27381274
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STL7N60M2STMicroelectronics3000+:¥4.47
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STL7N60M2STMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 5A POWERFLAT$1.46000
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STL7N60M2STMicroelectronicsMOSFET N-channel 600 V, 0.92 Ohm typ., 5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x5 HV package1:¥11.1418
10:¥9.4468
100:¥7.2546
500:¥6.4184
3,000:¥4.4861
9,000:查看
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STL7N60M2STMicroelectronics3000+:¥4.473000+:¥4.34
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24000+:¥4.14
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STL7N60M2ST(意法半导体)连续漏极电流(Id)(25°C 时):5A(Tc) 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:1.05Ω @ 2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):4W 类型:N沟道1+:¥4.83
10+:¥3.55
30+:¥3.31
100+:¥3.07
500+:¥2.97
1000+:¥2.92