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STGIPQ8C60T-HZ /IGBT 模块 SLLIMM nano 2nd series IPM, 3-phase inverter, 8 A, 600 V short-circuit rugged IGBTs
STGIPQ8C60T-HZ的规格信息
STGIPQ8C60T-HZ的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:IGBT 模块

RoHS:是

技术:-

产品:IGBT Silicon Modules

配置:Half Bridge

集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V

集电极—射极饱和电压:2 V

在25 C的连续集电极电流:8 A

栅极—射极漏泄电流:-

Pd-功率耗散:19.2 W

封装 / 箱体:N2DIP-26

最小工作温度:- 40 C

最大工作温度:+ 125 C

系列:STGIPQ8C60T-HZ

商标:STMicroelectronics

安装风格:Through Hole

栅极/发射极最大电压:-

产品类型:IGBT Modules

工厂包装数量:360

子类别:IGBTs

商标名:SLLIMM

供应商STGIPQ8C60T-HZ
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