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STGFW30V60DF /STMicroelectronics/分立半导体产品
STGFW30V60DF的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:30

类别:分立半导体产品

家庭:IGBT - 单路

系列:-

包装:管件

IGBT 类型:沟道和场截止

电压 - 集射极击穿(最大值):600V

电流 - 集电极(Ic)(最大值):60A

脉冲电流 - 集电极 (Icm):120A

不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.3V @ 15V,30A

功率 - 最大值:58W

开关能量:383µJ(开),233µJ(关)

输入类型:标准

栅极电荷:163nC

25°C 时 Td(开/关)值:45ns/189ns

测试条件:400V,30A,10 欧姆,15V

反向恢复时间(trr):53ns

封装/外壳:TO-3P-3 整包

安装类型:通孔

供应商器件封装:TO-3PF

其它名称:497-15011-5

供应商STGFW30V60DF
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