制造商:STMicroelectronics

产品种类:IGBT 晶体管

RoHS:是

技术:Si

封装 / 箱体:TO-3PF

安装风格:Through Hole

配置:Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V

集电极—射极饱和电压:1.55 V

栅极/发射极最大电压:20 V

在25 C的连续集电极电流:60 A

Pd-功率耗散:58 W

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

系列:STGFW30H65FB

封装:Tube

集电极最大连续电流 Ic:30 A

商标:STMicroelectronics

栅极—射极漏泄电流:250 nA

产品类型:IGBT Transistors

工厂包装数量:300

子类别:IGBTs

单位重量:7 g